IPB120N04S402ATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB120N04S402ATMA1 بواسطة Infineon و BSC019N04LSTATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB120N04S402ATMA1 BSC019N04LSTATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T2 —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, TC) 120 A —
Power Dissipation (PD, TC) 158 W —
RDS(on) (typ @ VGS=10 V) 1.8 mΩ —
العلبة PG-TO263-3 (D2PAK) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 (2 + Tab) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C -55 C to +150 C
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy Rating 100% Avalanche Tested —
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
مستوى MSL — 1 (unlimited)
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر