IPB120N04S402ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB120N04S402ATMA1 بواسطة Infineon و BSC076N04NDATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB120N04S402ATMA1 BSC076N04NDATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode 2x N-Channel MOSFET array
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, TC) 120 A —
Power Dissipation (PD, TC) 158 W —
RDS(on) (typ @ VGS=10 V) 1.8 mΩ —
العلبة PG-TO263-3 (D2PAK) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 (2 + Tab) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy Rating 100% Avalanche Tested —
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
العلبة / الحالة — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر