IPB60R280P7ATMA1 vs IPL60R065C7AUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB60R280P7ATMA1 بواسطة Infineon و IPL60R065C7AUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPB60R280P7ATMA1 | IPL60R065C7AUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 (600 V) | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (SJ) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 12 A | 29 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | 280 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | 3.5 V | — |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | 53 W | — |
| العلبة | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 (2 + Tab) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C (T_j max) | -55 °C to +150 °C (T_J) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant with Exemption |
| Lead-Free | Yes | — |
| Generation | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) | — |
| Series | — | CoolMOS C7 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Process Technology | — | CoolMOS C7 (Superjunction) |
| Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 600 V |
| On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) | — | 65 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) | — | 180 W |
| Gate-Source Voltage (V_GS, max) | — | ±20 V |
| Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) | — | 3.5 V |
| العلبة / الحالة | — | PG-VSON-4-1 (Source-Down) |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | — | No |
| Total Gate Charge (Q_G, typ.) | — | [DATA_NEEDED: Q_G typ. value] |
| Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) | — | [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value] |