IPB60R280P7ATMA1 vs IPL60R065C7AUMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB60R280P7ATMA1 מאת Infineon ו IPL60R065C7AUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPB60R280P7ATMA1 | IPL60R065C7AUMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $0.88 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 (600 V) | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (SJ) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 12 A | 29 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | 280 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | 3.5 V | — |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | 53 W | — |
| מארז | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 3 (2 + Tab) | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +150 °C (T_j max) | -55 °C to +150 °C (T_J) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant with Exemption |
| Lead-Free | Yes | — |
| Generation | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) | — |
| Series | — | CoolMOS C7 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Process Technology | — | CoolMOS C7 (Superjunction) |
| Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 600 V |
| On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) | — | 65 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) | — | 180 W |
| Gate-Source Voltage (V_GS, max) | — | ±20 V |
| Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) | — | 3.5 V |
| מארז / Case | — | PG-VSON-4-1 (Source-Down) |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | — | No |
| Total Gate Charge (Q_G, typ.) | — | [DATA_NEEDED: Q_G typ. value] |
| Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) | — | [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value] |