IPB90N06S4L04ATMA2 vs IRF5210PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB90N06S4L04ATMA2 بواسطة Infineon و IRF5210PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET D2PAK | Infineon

IPB90N06S4L04ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET D2PAK | Infineon

IPB90N06S4L04ATMA2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPB90N06S4L04ATMA2 IRF5210PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون — In Stock
سعر الوحدة (USD) — $0.82
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPB90N06S4L04ATMA2 —
Technology OptiMOS T2, N-channel enhancement mode HEXFET (Fifth Generation)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 90 A —
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) 360 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 150 W —
On-State Resistance R_DS(on) (typ @ VGS=10V) 3.4 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th)] —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C (junction)
العلبة PG-TO263-3-2 (D2PAK) TO-220AB (through-hole)
نوع التركيب Surface Mount Through Hole
مستوى MSL MSL1 (unlimited floor life) —
Peak Reflow Temperature 260 °C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Tested 100% avalanche-tested —
RoHS / Halogen-Free Yes (Green Product) —
نوع الترانزستور — P-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — -100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — -40 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — -2 V to -4 V (typical -2 V)
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V — 60 milliohms
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc — 200 W
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Tab Connection — Electrically tied to Drain
Pin Configuration — Gate / Drain (tab) / Source (G-D-S, front view)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر