IPC90N04S5L3R3ATMA1 vs BSC0993NDATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPC90N04S5L3R3ATMA1 بواسطة Infineon و BSC0993NDATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPC90N04S5L3R3ATMA1 BSC0993NDATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 40V —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 90 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.3 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.7 V to 2.7 V (logic level) —
Total Power Dissipation (TC=25°C) 62 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +175°C —
Storage Temperature Range [DATA_NEEDED: storage temp range] —
العلبة PG-TDSON-8-34 (TDSON-8) PG-TISON-8
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
MSL Moisture Sensitivity MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Peak Reflow Temperature 260°C —
Qualification AEC-Q101 automotive qualified —
Avalanche Tested 100% (production-level) —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Product Series — OptiMOS 5 30V
Configuration — Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Technology — OptiMOS 5 trench MOSFET
Channel Mode — Enhancement
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (junction)
ESD Protection — Yes (integrated)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر