IPD031N03LGATMA1 vs IPB081N06L3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD031N03LGATMA1 بواسطة Infineon و IPB081N06L3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD031N03LGATMA1 IPB081N06L3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3 OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C 90 A (Tc) —
Power Dissipation (Pd) 94 W (Tc) —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3.1 mΩ —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max] —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs] —
Output Charge (Qoss) Ultra low (per datasheet tagline) —
درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C (junction) —
العلبة PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TO263-3 (D2PAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Mounting Tab Drain (electrically connected) —
Avalanche Energy Rated Yes (per OptiMOS 3 datasheet family) —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 1 (unlimited)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 8.1 mOhm typical
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +175 C (junction)
عدد الدبابيس — 3
Pin Configuration — Gate / Drain / Source (D2PAK standard)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر