IPD031N03LGATMA1 vs IPB081N06L3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD031N03LGATMA1 מאת Infineon ו IPB081N06L3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPD031N03LGATMA1 IPB081N06L3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3 OptiMOS 3 (low-voltage power MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C 90 A (Tc) —
Power Dissipation (Pd) 94 W (Tc) —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3.1 mΩ —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max] —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs] —
Output Charge (Qoss) Ultra low (per datasheet tagline) —
טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C (junction) —
מארז PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TO263-3 (D2PAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Mounting Tab Drain (electrically connected) —
Avalanche Energy Rated Yes (per OptiMOS 3 datasheet family) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 1 (unlimited)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.2 V min, 2.1 V typ, 2.6 V max
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 8.1 mOhm typical
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +175 C (junction)
מספר פינים — 3
Pin Configuration — Gate / Drain / Source (D2PAK standard)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר