IPD042P03L3GATMA1 vs IRFR5410TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD042P03L3GATMA1 بواسطة Infineon و IRFR5410TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD042P03L3GATMA1 | IRFR5410TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | -70 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | -280 A | — |
| RDS(on) max @ VGS = -10 V | 4.2 mΩ | — |
| RDS(on) max @ VGS = -4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ -4.5 V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -1.5 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Total Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) | 150 W | — |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | 290 mJ | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55°C to +175°C (TJ) | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| العلبة | PG-TO252-3 (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Technology | OptiMOS™ P (Trench) | HEXFET (advanced process, Gen 5) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| مستوى MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C | — | -13 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V | — | 205 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 70 nC |
| Power Dissition (PD) at TC = 25 °C | — | 66 W |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) |
| RDS(on) Test Conditions | — | VGS = -10 V, ID = -7.0 A |