IPD042P03L3GATMA1 vs IRFR5410TRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD042P03L3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IRFR5410TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IRFR5410TRPBF - -100V P-Channel HEXFET MOSFET, 13A, DPAK | Infineon
IRFR5410TRPBF ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD042P03L3GATMA1 | IRFR5410TRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | -70 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | -280 A | — |
| RDS(on) max @ VGS = -10 V | 4.2 mΩ | — |
| RDS(on) max @ VGS = -4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ -4.5 V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -1.5 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Total Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) | 150 W | — |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | 290 mJ | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55°C to +175°C (TJ) | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3 (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Technology | OptiMOS™ P (Trench) | HEXFET (advanced process, Gen 5) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| MSL লেভেল | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C | — | -13 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V | — | 205 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 70 nC |
| Power Dissition (PD) at TC = 25 °C | — | 66 W |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) |
| RDS(on) Test Conditions | — | VGS = -10 V, ID = -7.0 A |