IPD042P03L3GATMA1 vs IRFR5410TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD042P03L3GATMA1 bằng Infineon và IRFR5410TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IRFR5410TRPBF - -100V P-Channel HEXFET MOSFET, 13A, DPAK | Infineon
IRFR5410TRPBF ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD042P03L3GATMA1 | IRFR5410TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | -70 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | -280 A | — |
| RDS(on) max @ VGS = -10 V | 4.2 mΩ | — |
| RDS(on) max @ VGS = -4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ -4.5 V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -1.5 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Total Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) | 150 W | — |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | 290 mJ | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +175°C (TJ) | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| Hộp | PG-TO252-3 (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Technology | OptiMOS™ P (Trench) | HEXFET (advanced process, Gen 5) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Cấp MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C | — | -13 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V | — | 205 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 70 nC |
| Power Dissition (PD) at TC = 25 °C | — | 66 W |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) |
| RDS(on) Test Conditions | — | VGS = -10 V, ID = -7.0 A |