IPD135N03LGATMA1 vs IPD060N03LGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD135N03LGATMA1 بواسطة Infineon و IPD060N03LGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 ✓ نشط
Infineon
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 - 30V 50A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD060N03LGATMA1 - 30V 50A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD060N03LGATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPD135N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 30 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 31 W (Tc) —
العلبة / الحالة PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount PG-TO252-3 (DPAK)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Gate Charge (Qg) Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) —
Output Charge (Qoss) Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (Unlimited)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Finish Yes —
Qualification Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade) —
Product Family — OptiMOS 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM, TC=25C, tp<=10us) — 200 A
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.7 V
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 6.0 mOhm (typ) / 7.5 mOhm (max)
On-State Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg, typ) — 21 nC
Output Charge (Qoss, typ) — [DATA_NEEDED: Qoss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 56 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC, max) — 2.5 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA, max, std PCB) — 62 C/W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Packing — Tape & Reel (T/R), 2500 per reel
AEC-Q101 / Automotive Grade — Not qualified
Technology / Generation — OptiMOS 30V, trench MOSFET

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر