IPD135N03LGATMA1 vs IPD060N03LGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD135N03LGATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD060N03LGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 - 30V 50A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD060N03LGATMA1 - 30V 50A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD060N03LGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD135N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 30 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 31 W (Tc) —
پیکیج / کیس PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount PG-TO252-3 (DPAK)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Gate Charge (Qg) Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) —
Output Charge (Qoss) Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (Unlimited)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Finish Yes —
Qualification Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade) —
Product Family — OptiMOS 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM, TC=25C, tp<=10us) — 200 A
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.7 V
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 6.0 mOhm (typ) / 7.5 mOhm (max)
On-State Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg, typ) — 21 nC
Output Charge (Qoss, typ) — [DATA_NEEDED: Qoss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 56 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC, max) — 2.5 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA, max, std PCB) — 62 C/W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Packing — Tape & Reel (T/R), 2500 per reel
AEC-Q101 / Automotive Grade — Not qualified
Technology / Generation — OptiMOS 30V, trench MOSFET

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں