IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPD60R210PFD7SAUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD60R145CFD7ATMA1 بواسطة Infineon و IPD60R210PFD7SAUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
العلبة TO-252AA (DPAK) surface mount —
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) —
درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) —
نوع التركيب Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount (SMT)
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) —
Series CoolMOS CFD7 —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
حالة RoHS Compliant —
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS PFD7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 16 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 210 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 64 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Package Type — TO-252 (DPAK)
Manufacturer Package Designator — PG-TO252-3-344
Pin Configuration — 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)
Application Segment — Consumer-grade SMPS

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر