IPD60R210PFD7SAUMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD60R210PFD7SAUMA1 بواسطة Infineon و IPD60R145CFD7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS PFD7 —
Technology Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET CoolMOS CFD7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 16 A —
On-Resistance (RDS(on), max) 210 mOhm —
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) 64 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.5 V —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Package Type TO-252 (DPAK) —
Manufacturer Package Designator PG-TO252-3-344 —
نوع التركيب Surface Mount (SMT) Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
Pin Configuration 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (TJ) —
Lead-Free / RoHS Yes (compliant) —
Application Segment Consumer-grade SMPS —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
العلبة — TO-252AA (DPAK) surface mount
Body Diode — Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (junction)
عدد الأطراف — 3 (Gate, Drain, Source)
Series — CoolMOS CFD7
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
حالة RoHS — Compliant
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر