IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD60R280P7SAUMA1 بواسطة Infineon و IPD80R1K4P7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD60R280P7SAUMA1 | IPD80R1K4P7ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 12 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 280 mΩ (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V max @ ID = 190 µA | 3.5 V (typ) |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | 53 W | — |
| Operating Junction Temperature (TJ) | -40 °C to +150 °C | — |
| Technology | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel | N-Channel Superjunction |
| العلبة | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-2 (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Series | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) | CoolMOS P7 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Integrated ESD Protection | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | — | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| تبديد القدرة (Ptot) | — | 32 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +150C |
| عدد الأطراف | — | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) |
| REACH Status | — | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Body Diode | — | Integrated, fast recovery |