IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD60R280P7SAUMA1 מאת Infineon ו IPD80R1K4P7ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPD60R280P7SAUMA1 | IPD80R1K4P7ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 12 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 280 mΩ (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V max @ ID = 190 µA | 3.5 V (typ) |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | 53 W | — |
| Operating Junction Temperature (TJ) | -40 °C to +150 °C | — |
| Technology | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel | N-Channel Superjunction |
| מארז | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-2 (DPAK) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Series | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) | CoolMOS P7 |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Integrated ESD Protection | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | — | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| פיזור הספק (Ptot) | — | 32 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +150C |
| מספר פינים | — | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) |
| REACH Status | — | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Body Diode | — | Integrated, fast recovery |