IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R280P7SAUMA1 tarafından Infineon ve IPD80R1K4P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD60R280P7SAUMA1 | IPD80R1K4P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 12 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 280 mΩ (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V max @ ID = 190 µA | 3.5 V (typ) |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | 53 W | — |
| Operating Junction Temperature (TJ) | -40 °C to +150 °C | — |
| Technology | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel | N-Channel Superjunction |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-2 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Series | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) | CoolMOS P7 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Integrated ESD Protection | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 4 A |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | — | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Güç Tüketimi (Ptot) | — | 32 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +150C |
| Pin Sayısı | — | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) |
| REACH Status | — | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Body Diode | — | Integrated, fast recovery |