IPD60R360P7ATMA1 vs IPW60R037P7XKSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD60R360P7ATMA1 بواسطة Infineon و IPW60R037P7XKSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD60R360P7ATMA1 | IPW60R037P7XKSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS™ P7 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | CoolMOS Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 600 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | ±20 V (max) | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | 9 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_D,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 360 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (P_tot) at T_C=25°C | 41 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55°C to +150°C | -55 °C to +150 °C |
| Storage Temperature | -55°C to +150°C | — |
| العلبة / الحالة | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Through Hole |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) typ | 3.5 V (typ) | — |
| ESD Protection (HBM) | >2 kV (per datasheet) | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD20) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Qualification | Industrial grade per JEDEC (J-STD20, JESD22) | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET (Superjunction) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) | — | 76 A |
| On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) | — | 37 mΩ |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) | — | 255 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | — | 3.5 V |
| العلبة | — | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) |
| Orderable Part Number Suffix | — | XKSA1 (tube packaging, industrial) |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Avalanche Rated | — | Yes |