IPD60R360P7ATMA1 vs IPW60R037P7XKSA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IPD60R360P7ATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IPW60R037P7XKSA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IPD60R360P7ATMA1 IPW60R037P7XKSA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS™ P7
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET CoolMOS Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V (max) —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 360 mΩ —
Total Power Dissipation (P_tot) at T_C=25°C 41 W —
Suhu Hubungan Operasi -55°C to +150°C -55 °C to +150 °C
Storage Temperature -55°C to +150°C —
Kemasan / Case PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
Jenis Pemasangan Surface Mount Through Hole
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) typ 3.5 V (typ) —
ESD Protection (HBM) >2 kV (per datasheet) —
Aras MSL 1 (per JEDEC J-STD20) —
RoHS Compliance Compliant —
Qualification Industrial grade per JEDEC (J-STD20, JESD22) —
Jenis Transistor — N-Channel MOSFET (Superjunction)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) — 76 A
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) — 37 mΩ
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) — 255 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) — 3.5 V
Kemasan — PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole)
Orderable Part Number Suffix — XKSA1 (tube packaging, industrial)
Status RoHS — Compliant
Avalanche Rated — Yes

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga