IPD60R360P7ATMA1 vs IPW60R037P7XKSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R360P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPW60R037P7XKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD60R360P7ATMA1 | IPW60R037P7XKSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS™ P7 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | CoolMOS Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 600 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | ±20 V (max) | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | 9 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_D,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | 360 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (P_tot) at T_C=25°C | 41 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55°C to +150°C | -55 °C to +150 °C |
| Storage Temperature | -55°C to +150°C | — |
| Paket / Kas | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Through Hole |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) typ | 3.5 V (typ) | — |
| ESD Protection (HBM) | >2 kV (per datasheet) | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD20) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Qualification | Industrial grade per JEDEC (J-STD20, JESD22) | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET (Superjunction) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) | — | 76 A |
| On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) | — | 37 mΩ |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) | — | 255 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | — | 3.5 V |
| Paket | — | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) |
| Orderable Part Number Suffix | — | XKSA1 (tube packaging, industrial) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Avalanche Rated | — | Yes |