IPD60R600P7ATMA1 vs IPD60R210PFD7SAUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD60R600P7ATMA1 بواسطة Infineon و IPD60R210PFD7SAUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 - 600V 6A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R600P7ATMA1 - 600V 6A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R600P7ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPD60R600P7ATMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Part Number IPD60R600P7ATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) / CoolMOS Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, TC) 6 A —
On-Resistance (RDS(on)) 490 mOhm (max) —
Power Dissipation (PD, TC) 30 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (TJ)
العلبة / الحالة PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (SMT)
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
حالة RoHS Compliant —
Generation CoolMOS 7th generation (P7, successor to P6) —
Ordering Code Suffix ATMA1 = Tape & Reel, 13-inch —
Product Family — CoolMOS PFD7
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 16 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 210 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 64 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Package Type — TO-252 (DPAK)
Manufacturer Package Designator — PG-TO252-3-344
Pin Configuration — 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)
Application Segment — Consumer-grade SMPS

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر