IPD70N10S312ATMA2 vs IPB020N10N5LFATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD70N10S312ATMA2 بواسطة Infineon و IPB020N10N5LFATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IPB020N10N5LFATMA1 - 100V 176A 2mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
IPB020N10N5LFATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IPD70N10S312ATMA2 | IPB020N10N5LFATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD70N10S312ATMA2 | — |
| Technology | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) | N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | 125 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C |
| العلبة | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 (unlimited floor life) | 1 |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 Linear FET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 176 A |
| Silicon-Limited Drain Current | — | 289 A |
| Package-Limited Drain Current | — | 120 A |
| Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) | — | 10.2 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 2.0 mΩ |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 313 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5 V |
| Marking Code | — | 020N10LF |