IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD80R1K4P7ATMA1 بواسطة Infineon و IPD60R280P7SAUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD80R1K4P7ATMA1 | IPD60R280P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) |
| Technology | N-Channel Superjunction | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 4 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | 4 V max @ ID = 190 µA |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| تبديد القدرة (Ptot) | 32 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | — |
| العلبة | PG-TO252-2 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Body Diode | Integrated, fast recovery | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 12 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 280 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 53 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -40 °C to +150 °C |
| Integrated ESD Protection | — | Yes |