IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD80R1K4P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R280P7SAUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD80R1K4P7ATMA1 | IPD60R280P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) |
| Technology | N-Channel Superjunction | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 4 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | 4 V max @ ID = 190 µA |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| پاور ڈسپیشن (Ptot) | 32 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +150C | — |
| پیکیج | PG-TO252-2 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Body Diode | Integrated, fast recovery | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 12 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 280 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 53 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -40 °C to +150 °C |
| Integrated ESD Protection | — | Yes |