IPD90N04S403ATMA1 vs BSC097N06NSATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD90N04S403ATMA1 بواسطة Infineon و BSC097N06NSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD90N04S403ATMA1 BSC097N06NSATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 90 A —
On-State Resistance (R_DS(on)) 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 94 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
العلبة PG-TO252-3-313 (DPAK) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C -55C to +150C
مستوى MSL MSL1 (peak reflow up to 260C) 1 (Unlimited)
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Tested 100% avalanche-tested —
RoHS Compliance Compliant (Green Package) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T2) OptiMOS 5 (Trench)
Series — OptiMOS 5
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 46 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM peak value]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.7 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 36 W
العلبة / الحالة — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
حالة RoHS — Compliant
Avalanche Rated — Yes (EAS per datasheet)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر