IPD90N10S406ATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD90N10S406ATMA1 بواسطة Infineon و IPD50N06S409ATMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPD90N10S406ATMA1 IPD90N10S406ATMA1 - 100V 90A N-Channel MOSFET | Infineon

IPD90N10S406ATMA1 - 100V 90A N-Channel MOSFET | Infineon

IPD90N10S406ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPD90N10S406ATMA1 IPD50N06S409ATMA2
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD90N10S406ATMA1 —
Family / Series OptiMOS —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 90 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 136 W —
Gate Drive Level Normal Level (10 V typical Vgs) —
Avalanche Energy Rating (EAS) 250 mJ —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
Storage Temperature Range -55 °C to +175 °C —
العلبة / الحالة PG-TO252-3-313 (DPAK) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الدبابيس 3 (Gate, Drain, Source) —
مستوى MSL MSL1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Built-in Body Diode Yes (single with built-in diode) —
Avalanche Tested 100% Avalanche tested —
Packaging Tape & Reel (Cut Tape / Reel options available) —
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V — 9 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
العلبة — PG-TO252-3-11 (DPAK)
عدد الأطراف — 3 (2 + Tab)
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — [DATA_NEEDED]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر