IPL60R065C7AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPL60R065C7AUMA1 بواسطة Infineon و IPB60R280P7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPL60R065C7AUMA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $0.88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS C7 | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Process Technology | CoolMOS C7 (Superjunction) | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 29 A | 12 A |
| On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) | 65 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) | 180 W | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS, max) | ±20 V | — |
| Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) | 3.5 V | — |
| العلبة / الحالة | PG-VSON-4-1 (Source-Down) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C (T_J) | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| حالة RoHS | Compliant with Exemption | Compliant |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | No | — |
| Total Gate Charge (Q_G, typ.) | [DATA_NEEDED: Q_G typ. value] | — |
| Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) | [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value] | — |
| Product Family | — | CoolMOS P7 (600 V) |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| العلبة | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| عدد الأطراف | — | 3 (2 + Tab) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Lead-Free | — | Yes |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |