IPL60R065C7AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPL60R065C7AUMA1 tarafından Infineon ve IPB60R280P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPL60R065C7AUMA1 IPB60R280P7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Process Technology CoolMOS C7 (Superjunction) —
Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 29 A 12 A
On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) 65 mΩ —
Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) 180 W —
Gate-Source Voltage (V_GS, max) ±20 V —
Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) 3.5 V —
Paket / Kas PG-VSON-4-1 (Source-Down) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C (T_J) -55 °C to +150 °C (T_j max)
RoHS Durumu Compliant with Exemption Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) No —
Total Gate Charge (Q_G, typ.) [DATA_NEEDED: Q_G typ. value] —
Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value] —
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Technology — Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Paket — PG-TO263-3 (D2PAK)
Pin Sayısı — 3 (2 + Tab)
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin