IPL60R065C7AUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPL60R065C7AUMA1 بذریعہ Infineon اور IPB60R280P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPL60R065C7AUMA1 IPB60R280P7ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $0.88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Process Technology CoolMOS C7 (Superjunction) —
Maximum Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 29 A 12 A
On-Resistance (R_DS(on), typ., V_GS=10V) 65 mΩ —
Maximum Power Dissipation (P_D, T_C=25°C) 180 W —
Gate-Source Voltage (V_GS, max) ±20 V —
Gate-Source Threshold (V_GS(th), typ.) 3.5 V —
پیکیج / کیس PG-VSON-4-1 (Source-Down) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (T_J) -55 °C to +150 °C (T_j max)
RoHS اسٹیٹس Compliant with Exemption Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) No —
Total Gate Charge (Q_G, typ.) [DATA_NEEDED: Q_G typ. value] —
Output Capacitance Stored Energy (E_OSS) [DATA_NEEDED: E_OSS typ. value] —
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Technology — Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
پیکیج — PG-TO263-3 (D2PAK)
پن کی تعداد — 3 (2 + Tab)
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں