IPL60R125P7AUMA1 vs IPW60R037P7XKSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPL60R125P7AUMA1 بواسطة Infineon و IPW60R037P7XKSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPL60R125P7AUMA1 IPW60R037P7XKSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET CoolMOS Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 27 A —
On-State Resistance RDS(on) max 125 mOhm —
Gate Charge (Qg, typ) 36 nC —
Total Gate Charge Qg (typ) 36 nC —
Output Capacitance Coss (typ) [DATA_NEEDED: Coss value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr] —
Rise Time / Fall Time (tr/tf) [DATA_NEEDED: tr/tf] —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V (max) —
Gate Threshold Voltage VGS(th), typ 3.5 V —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +150 C -55 °C to +150 °C
العلبة ThinPAK 8x8 (4-pin + exposed pad) PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole)
نوع التركيب Surface Mount Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) MSL 2 (per JEDEC J-STD-020) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Pin Configuration Drain Pin 5, Gate Pin 1, Power Source Pin 3-4, Driver Source Pin 2 —
Series — CoolMOS™ P7
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET (Superjunction)
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) — 76 A
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) — 37 mΩ
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) — 255 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) — 3.5 V
Orderable Part Number Suffix — XKSA1 (tube packaging, industrial)
Avalanche Rated — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر