IPLU300N04S41R1XTMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPLU300N04S41R1XTMA1 بواسطة Infineon و ISC011N06LM5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPLU300N04S41R1XTMA1 ISC011N06LM5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPLU300N04S41R1XTMA1 ISC011N06LM5ATMA1
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS (Trench MOSFET) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 300 A —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 300 W —
R<sub>DS(on)</sub> Max (V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=100 A) 1.15 mΩ —
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) 151 nC —
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=25 V) 12,090 pF —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية 175 °C —
Peak Reflow Temperature (AEC-Q) 260 °C —
العلبة PG-HSOF-8-1 (8-PowerSFN, surface mount) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
RoHS Compliance Yes (Green Product) —
Lead-Free Yes (100% lead-free) —
Configuration Single with built-in diode —
Packing Tape & Reel (TR) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 288 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
عدد الأطراف — 8
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C
حالة RoHS — Compliant
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر