IPLU300N04S41R1XTMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPLU300N04S41R1XTMA1 bằng Infineon và ISC011N06LM5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPLU300N04S41R1XTMA1 IPLU300N04S41R1XTMA1 - 40V 300A 1.15mΩ Automotive MOSFET | Infineon

IPLU300N04S41R1XTMA1 - 40V 300A 1.15mΩ Automotive MOSFET | Infineon

IPLU300N04S41R1XTMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
ISC011N06LM5ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPLU300N04S41R1XTMA1 ISC011N06LM5ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPLU300N04S41R1XTMA1 ISC011N06LM5ATMA1
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS (Trench MOSFET) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 300 A —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 300 W —
R<sub>DS(on)</sub> Max (V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=100 A) 1.15 mΩ —
Gate Charge (Q<sub>g</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) 151 nC —
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=25 V) 12,090 pF —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) ±20 V —
Nhiệt độ mối nối hoạt động 175 °C —
Peak Reflow Temperature (AEC-Q) 260 °C —
Hộp PG-HSOF-8-1 (8-PowerSFN, surface mount) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
RoHS Compliance Yes (Green Product) —
Lead-Free Yes (100% lead-free) —
Configuration Single with built-in diode —
Packing Tape & Reel (TR) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 288 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
Số chân — 8
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +175C
Trạng thái RoHS — Compliant
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá