IPP045N10N3GXKSA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPP045N10N3GXKSA1 بواسطة Infineon و IPP075N15N3GXKSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPP045N10N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPP045N10N3GXKSA1 —
Technology OptiMOS 3 N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=100°C [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (I<sub>D,pulse</sub>) 137 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at V<sub>GS</sub>=10V 4.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> 3.5 V (typical, per LCSC listing) —
Power Dissipation P<sub>D</sub> at T<sub>C</sub>=25°C 214 W —
العلبة TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C (junction, typical MOSFET limit) [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
نوع التركيب Through Hole Through Hole
حالة RoHS Compliant (per LCSC datasheet excerpt) —
Lead-Free Yes (Infineon G/GX part suffix) —
مستوى MSL N/A (through-hole package) —
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر