IPT015N10NF2SATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPT015N10NF2SATMA1 بواسطة Infineon و BSC070N10NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPT015N10NF2SATMA1 | BSC070N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 315 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 35 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.8 V at 267 µA | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 300 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | — |
| العلبة | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench, N-channel enhancement | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| طاقة الانهيار النبضي المفرد | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 80 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg] |
| Power Dissition at TC=25C (Ptot) | — | 83 W |
| Power Dissipation at TA=25C | — | 2.5 W |
| نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 C to +150 C |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Typical Application | — | Synchronous rectification in SMPS |