IPT017N12NM6ATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPT017N12NM6ATMA1 بواسطة Infineon و IQE220N15NM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPT017N12NM6ATMA1 | IQE220N15NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPT017N12NM6ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 5, Source-Down |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 331 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 1.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 395 W | — |
| العلبة | PG-HSOF-8 (TOLL) | PG-WHTFN-9 (Source-Down) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | — |
| عدد الأطراف | 8 + tab | — |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | — | 7 A |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | — | 44 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 100 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 22 milliohm (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.6 V |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (junction) |