IPT059N15N3ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPT059N15N3ATMA1 بواسطة Infineon و ISC015N06NM5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IPT059N15N3ATMA1 - 150V 5.9mΩ 155A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPT059N15N3ATMA1 ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPT059N15N3ATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 3 (trench) | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 155 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.9 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 375 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| العلبة | PG-HSOF-8-1 (TOLL / TO-Leadless) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C (TJ max 175 °C) | -55 C to +175 C |
| عدد الأطراف | 8 + exposed source tab | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 | — |
| Automotive Qualified | No (industrial grade; non-AEC-Q) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |