IPTG025N15NM6ATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPTG025N15NM6ATMA1 بواسطة Infineon و IPT015N10NF2SATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPTG025N15NM6ATMA1 | IPT015N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Technology | OptiMOS 6 150 V (N-channel trench) | OptiMOS trench, N-channel enhancement |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 26 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 264 A (pulsed) | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 395 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) typ | 2.5 mOhm at VGS=10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| العلبة | PG-HSOG-8-1 (TOLG) | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6) | -55 °C to +175 °C |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Solder Joint Reliability | Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 315 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 35 A |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 1.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.8 V at 267 µA |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 300 W |
| Gate Drive Voltage (typ) | — | 10 V |
| طاقة الانهيار النبضي المفرد | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |