IPTG025N15NM6ATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPTG025N15NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IPT015N10NF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPTG025N15NM6ATMA1 IPT015N10NF2SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 6 150 V (N-channel trench) OptiMOS trench, N-channel enhancement
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 26 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 264 A (pulsed) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 395 W —
On-State Resistance RDS(on) typ 2.5 mOhm at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Paket PG-HSOG-8-1 (TOLG) PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6) -55 °C to +175 °C
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Solder Joint Reliability Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 315 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 35 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 1.5 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.8 V at 267 µA
Total Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Total Power Dissipation (Tc) — 300 W
Gate Drive Voltage (typ) — 10 V
Tek Darbe Yıldırım Enerjisi — [DATA_NEEDED: EAS value]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin