IPZ40N04S53R1ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPZ40N04S53R1ATMA1 بواسطة Infineon و ISC011N06LM5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1 - 40V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IPZ40N04S53R1ATMA1 - 40V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IPZ40N04S53R1ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPZ40N04S53R1ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25 C 40 A —
Power Dissipation (P_D) at Tc=25 C 71 W —
R_DS(on) max at V_GS=10 V, I_D=20 A 3.1 mOhm —
Drive Voltage (Max R_DS on, Min R_DS on) 7 V, 10 V —
Maximum V_GS +/-20 V —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C -55C to +175C
العلبة PG-TSDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL1 (260 C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL level]
Qualification AEC-Q101 automotive —
Avalanche Tested 100 % —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Series OptiMOS 5 (IPZ family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — ISC011N06LM5ATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 288 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
عدد الأطراف — 8
حالة RoHS — Compliant
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر