IPZ40N04S53R1ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPZ40N04S53R1ATMA1 tarafından Infineon ve ISC011N06LM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1 - 40V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IPZ40N04S53R1ATMA1 - 40V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IPZ40N04S53R1ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPZ40N04S53R1ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25 C 40 A —
Power Dissipation (P_D) at Tc=25 C 71 W —
R_DS(on) max at V_GS=10 V, I_D=20 A 3.1 mOhm —
Drive Voltage (Max R_DS on, Min R_DS on) 7 V, 10 V —
Maximum V_GS +/-20 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C -55C to +175C
Paket PG-TSDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (260 C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL level]
Qualification AEC-Q101 automotive —
Avalanche Tested 100 % —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Series OptiMOS 5 (IPZ family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — ISC011N06LM5ATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 288 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
Pin Sayısı — 8
RoHS Durumu — Compliant
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin