IPZ40N04S53R1ATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPZ40N04S53R1ATMA1 द्वारा Infineon और ISC011N06LM5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1 - 40V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IPZ40N04S53R1ATMA1 - 40V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IPZ40N04S53R1ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
ISC011N06LM5ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 - 60V 1.1mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N06LM5ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPZ40N04S53R1ATMA1 ISC011N06LM5ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25 C 40 A —
Power Dissipation (P_D) at Tc=25 C 71 W —
R_DS(on) max at V_GS=10 V, I_D=20 A 3.1 mOhm —
Drive Voltage (Max R_DS on, Min R_DS on) 7 V, 10 V —
Maximum V_GS +/-20 V —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +175 C -55C to +175C
पैकेज PG-TSDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर MSL1 (260 C peak reflow) [DATA_NEEDED: MSL level]
Qualification AEC-Q101 automotive —
Avalanche Tested 100 % —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Series OptiMOS 5 (IPZ family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — ISC011N06LM5ATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 288 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
पिन काउंट — 8
RoHS स्थिति — Compliant
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

डेटाशीट और संसाधन

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