IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs BSC0502NSIATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQDH88N06LM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon و BSC0502NSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 | BSC0502NSIATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | 42 A | — |
| تيار التصريف المستمر (TC=25°C) | 447 A | — |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | 0.86 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 3 W | — |
| تبديد القدرة (TC=25°C) | 333 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge Qg typical | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55°C to +175°C (TJ) | -55C to +150C |
| العلبة | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 9 (with exposed pad) | — |
| Cooling | Dual-side cooling capable | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 26 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.3 mOhm |
| Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ | — | 9.0 nC |
| Output Charge QOSS Typ | — | 13.5 nC |
| Power Dissipation at TA (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (Tc=25C) | — | 43 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |