IQE004NE1LM7CGATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE004NE1LM7CGATMA1 بواسطة Infineon و ISC011N06LM5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IQE004NE1LM7CGATMA1 ISC011N06LM5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
Technology N-Channel Trench Power MOSFET OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 15 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, TA=25C) 58 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 379 A —
Power Dissipation (TA=25C) 2.1 W —
Power Dissipation (TC=25C) 89 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.45 mOhm at VGS=10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
العلبة PG-TTFN-9-3 (surface mount) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Packaging Tape & Reel (CGATMA1 suffix) —
Polarization N-Channel —
Part Number — ISC011N06LM5ATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 288 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
عدد الأطراف — 8
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر