IQE004NE1LM7CGATMA1 vs ISC011N06LM5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE004NE1LM7CGATMA1 tarafından Infineon ve ISC011N06LM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQE004NE1LM7CGATMA1 ISC011N06LM5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
Technology N-Channel Trench Power MOSFET OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 15 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, TA=25C) 58 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 379 A —
Power Dissipation (TA=25C) 2.1 W —
Power Dissipation (TC=25C) 89 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.45 mOhm at VGS=10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Paket PG-TTFN-9-3 (surface mount) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C (junction) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Packaging Tape & Reel (CGATMA1 suffix) —
Polarization N-Channel —
Part Number — ISC011N06LM5ATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 37 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 288 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 188 W
RDS(on) max at VGS=10V — 1.15 mOhm
Pin Sayısı — 8
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin