IQE012N03LM5CGATMA1 vs IQE008N03LM5CGSCATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE012N03LM5CGATMA1 بواسطة Infineon و IQE008N03LM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IQE012N03LM5CGATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 ✓ نشط
Infineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 IQE008N03LM5CGSCATMA1 - 30V 0.85mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5CGSCATMA1 - 30V 0.85mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5CGSCATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IQE012N03LM5CGATMA1 IQE008N03LM5CGSCATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 34 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 224 A —
On-Resistance RDS(on), typ 1.20 mOhm —
Gate-Source Threshold VGS(th) 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
Technology / Process OptiMOS 5 trench —
العلبة PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) PG-WHTFN-9 (WHTFN)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (top + bottom cooling)
درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C (TJ) —
Gate Drive (recommended) 10 V (logic-level compatible) —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon Power-SMD packages)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) Max — 252 A (per channel, case-temperature limited)
On-Resistance (RDS(on)) Max — 0.85 mOhm at VGS = 10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS maximum rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (junction)
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Polarity — N-Channel
عدد الدبابيس — 9 (WHTFN with exposed thermal pads)
خالٍ من الهالوجين — Yes (Infineon standard for OptiMOS 5)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر