IQE012N03LM5CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE012N03LM5CGATMA1 بواسطة Infineon و IQE036N08NM6CGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQE012N03LM5CGATMA1 | IQE036N08NM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 34 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 224 A | — |
| On-Resistance RDS(on), typ | 1.20 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | — |
| Technology / Process | OptiMOS 5 trench | — |
| العلبة | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C (TJ) | — |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (logic-level compatible) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| Part Status | — | Active |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 16.7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 118 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 125 W |
| العلبة / الحالة | — | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 6) |
| Configuration | — | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) |
| Packing | — | Tape and Reel (suffix ATMA1) |
| Voltage Rating | — | 60 V to 100 V category (80 V nominal) |