IQE012N03LM5CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE012N03LM5CGATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE036N08NM6CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE012N03LM5CGATMA1 | IQE036N08NM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 34 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 224 A | — |
| On-Resistance RDS(on), typ | 1.20 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | — |
| Technology / Process | OptiMOS 5 trench | — |
| پیکیج | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55 C to +150 C (TJ) | — |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (logic-level compatible) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| Part Status | — | Active |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 16.7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 118 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 125 W |
| پیکیج / کیس | — | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 6) |
| Configuration | — | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) |
| Packing | — | Tape and Reel (suffix ATMA1) |
| Voltage Rating | — | 60 V to 100 V category (80 V nominal) |