IQE012N03LM5CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE012N03LM5CGATMA1 tarafından Infineon ve IQE036N08NM6CGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IQE012N03LM5CGATMA1 | IQE036N08NM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 34 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 224 A | — |
| On-Resistance RDS(on), typ | 1.20 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | — |
| Technology / Process | OptiMOS 5 trench | — |
| Paket | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55 C to +150 C (TJ) | — |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (logic-level compatible) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| Part Status | — | Active |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 16.7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 118 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 125 W |
| Paket / Kas | — | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 6) |
| Configuration | — | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) |
| Packing | — | Tape and Reel (suffix ATMA1) |
| Voltage Rating | — | 60 V to 100 V category (80 V nominal) |