IQE020N04LM6CGATMA1 vs IQE013N04LM6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE020N04LM6CGATMA1 بواسطة Infineon و IQE013N04LM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IQE020N04LM6CGATMA1 IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IQE020N04LM6CGATMA1 IQE013N04LM6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 25 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 166 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 107 W —
On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V 2.0 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge (Qg) typical [DATA_NEEDED: Qg value] —
العلبة PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate) PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C -55 °C to +175 °C
Technology OptiMOS 6, TrenchFET-class OptiMOS N-channel trench MOSFET
Configuration Single N-Channel, source-down —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (Ta) — 31 A
Continuous Drain Current (Tc) — 205 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 107 W
On-Resistance RDS(on) max — [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) typ — 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V (typ)
Source-Down Topology — Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر